MFLPECVD408-12是一款PECVD系统的管式炉系统。由真空管式炉、射频电源、供气系统、真空系统组成。 最高温度可以达到1200度，采用30段程序温控仪表，K型热电偶，炉膛为高纯氧化铝陶瓷纤维,此设备可用于生长纳米线或用CVD方法制备各种薄膜。
【产品型号】MFLPECVD408-12
【石英管径】50/60/80/100/120/150mm
【额定温度】1200℃/1400℃/1700℃
【电源电压】AC220V/50Hz
【控温精度】±1℃
一、产品描述
MFLPECVD408-12是一款PECVD系统的管式炉系统。由真空管式炉、射频电源、供气系统、真空系统组成。 最高温度可以达到1200度，采用30段程序温控仪表，K型热电偶，炉膛为高纯氧化铝陶瓷纤维,此设备可用于生长纳米线或用CVD方法制备各种薄膜。
二、产品特点
-
1、通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。
-
2、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度更低
-
3、可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小
-
4、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高。
-
5、广泛应用于：各种薄膜的生长，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和无定型硅(a-Si:H) 等。
-
二、技术参数
|
设备型号 |
MFLPECVD408-12 |
|
|
管式炉 |
控温范围 |
室温-1200℃ |
|
工作温度 |
≤1100℃ |
|
| 加热区长度 | 400mm | |
| 石英管 |
直径 80mm，长 1400mm (管径可选 50， 60 ，100) | |
|
控温精度 |
＜1000 ±0.1℃ ； ≥1000±1℃ |
|
|
恒温波动 |
±1℃（测试点为1000℃） |
|
|
升温速度 |
推荐1000度以下≤10℃/min，最快升温速度≤30℃/min |
|
|
降温速度 |
700℃以上≤10℃/min |
|
|
炉表温度 |
炉体表面温度小于室温+10（测量点为1000℃） |
|
| 测温元件 | K型热电偶 | |
| 控温模式 |
模糊PID控制和自整定调节，智能化30段可编程控制，具有超温和断偶报警功能 | |
| 电压功率 | 220V 3KW | |
|
供气系统
|
气路通道 | 4路 |
| 气路流量控制 | 质子流量控制器（七星流量计） | |
| 控制精度 | ±1.5%F.S | |
| 重复精度 | ±0.2%F.S | |
| 流量范围 | 1-500 SCCM | |
| 机械压力表 | 一块机械压力表在面板，和混气灌连接量程：-0.1～0.15 Mpa | |
|
真空系统 方案一（低真空：机械泵）
|
电源 | 220V |
| 极限真空度 | 5X10-1 Pa | |
| 抽气速率 |
2升/每秒 |
|
| 真空挡板阀 | KF25 | |
| 型号 | VRD-8 | |
| 电机功率 | 0.4KW |
|
|
真空系统 方案二（高真空：机械泵+分子泵机组）
|
型号 | GZK-16-600 |
| 电源 | AC100-240 50/60HZ | |
| 功率 | 1KW | |
| 重量 | 25KG | |
| 极限压强 | 1.0*10-4Pa | |
| 进、排气接口 | KF40 | |
| 冷水机最大流量 | 10L/MIN | |
| 真空计 |
复合真空计 | |
| 真空控制精度 | ± 1% | |
| 真空计测量范围 | 1.0×10 – 1.0×10-5pa | |
|
电源 （等离子体发生器）
|
功率输出范围 |
0-500W |
| 功率稳定度 | ≤±5W |
|
| 工作频率 | 射频：13.56MHZ±0.005% | |
| 匹配方式 |
自动 | |
| 冷却方式 | 风冷 | |
| 噪声 | <50dB | |
|
安全 |
工作环境 |
RT±5-40℃ |
|
使用保障 |
开门断电 超温报警 漏电保护 过温保护 |
|
|
管式炉 |
一台 |
|
|
出厂清单 |
真空系统 | 一套 |
|
供气系统 |
一套 |
|
|
射频电源 |
一套 |
|
|
高温手套 |
卡斯顿一双 |
|
|
炉勾 |
一把 |
|
|
气管 |
一根 |
|
|
设备说明书 |
一份 |
|
|
仪表说明书 |
一份 |
|
|
保修卡 |
一份 |
|
|
选购品 |
移动炉架 |
不锈钢 |
|
触摸屏智能仪表 |
50段编程，可实现与计算机连接。通过专用的计算机控制系统来完成与单台或多台电炉的远程控制、实时追踪、历史记录、输出报表等功能。 |
|
注：管径可选：50/60/80/100/120/150/200/300 mm ,
温区可以做双温区，三温区等多温区，
请联系客服
