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1200℃单温区CVD系统

1200℃单温区CVD系统是一款用于实验室材料制备、薄膜沉积、气氛热处理和高温反应实验的管式炉设备。设备采用卧式单温区加热结构,配套石英管、气体流量控制系统、真空系统及尾气排放接口,可满足常规CVD、气氛烧结、氧化、还原、退火等实验需求。

1200℃单温区CVD系统

1200℃单温区CVD系统是一款用于实验室材料制备、薄膜沉积、气氛热处理和高温反应实验的管式炉设备。 设备采用卧式单温区加热结构,配套石英管、气体流量控制系统、真空系统及尾气排放接口, 可满足常规CVD、气氛烧结、氧化、还原、退火等实验需求。

该设备适用于高校、科研院所、半导体材料、新能源材料、碳材料、陶瓷材料及金属材料等实验领域。

产品用途

  • CVD化学气相沉积实验
  • 薄膜材料制备
  • 氧化物、氮化物、碳材料制备
  • 气氛保护烧结
  • 真空退火、气氛退火
  • 催化剂材料高温反应
  • 石墨烯、碳纳米材料、陶瓷粉体等材料研究

设备组成

管式炉主机 采用1200℃单温区卧式管式炉结构,适合实验室CVD及气氛热处理实验。
反应腔体 可配置石英管或刚玉管,根据实验温度和工艺气氛选择。
气体控制系统 支持多路气体输入,可选配质量流量控制器,实现精确控气。
真空系统 配套机械泵、真空计及阀门管路,可按需求升级高真空系统。

技术参数

项目 技术参数
产品名称 1200℃单温区CVD系统
炉型结构 卧式单温区管式炉
最高温度 1200℃
长期使用温度 ≤1100℃
加热区数量 单温区
控温方式 PID智能控温
控温精度 ±1℃
加热元件 优质电阻丝
炉膛材料 高纯氧化铝纤维保温材料
炉管材质 石英管(也可选刚玉管,可按需求选择)
炉管规格 常用 Φ60、Φ80、Φ100mm,可定制
加热区长度 400mm
升温速率 建议 ≤10℃/min,可程序设定
温控程序 50段程序升温、保温、降温
热电偶 K型
工作气氛 氮气、氩气、氢氩混合气、氧气等
气路数量 可选1路、2路、3路或多路气体
流量控制 质量流量计控制
真空系统 机械泵,可选配分子泵、扩散泵或罗茨泵
真空显示 数显真空计
密封方式 不锈钢真空法兰密封
冷却方式 自然冷却
电源 AC 220V
安装方式 一体式操作台

气路系统配置

项目 配置说明
气体入口 2路气体独立进气
流量控制 质量流量控制器 MFC
控制范围 可选 0–100sccm、0–500sccm、0–1000sccm 等
管路材质 304不锈钢管路
阀门配置 针阀、球阀、单向阀、旁通阀
混气方式 多路气体进入混气管后进入炉管
出气方式 尾气排放或连接尾气处理装置

真空系统配置

项目 配置说明
真空泵 旋片式机械泵
极限真空度 约10Pa,可根据配置提高
真空测量 数显真空计
真空接口 KF快装接口
密封结构 不锈钢法兰 + 耐高温密封圈
选配系统 罗茨泵、分子泵、扩散泵、高真空计

产品特点

温度稳定性好 单温区加热结构,适合常规CVD和气氛热处理实验。
气氛控制灵活 可配置多路质量流量控制器,实现精确进气和混气。
密封性能可靠 两端采用不锈钢真空法兰,适合真空和保护气氛实验。
操作方便 温控、气路、真空系统集中安装,方便实验人员操作。
可定制性强 炉管直径、加热区长度、气路数量、真空系统均可定制。
适用范围广 可用于材料沉积、薄膜制备、粉体烧结、气氛反应和退火实验。

可选配置

可选项目 说明
炉管材质 石英管、刚玉管
气路数量 1路、2路、3路、4路或更多
流量控制器 国产MFC或进口MFC
真空系统 机械泵、罗茨泵、分子泵、扩散泵
控制方式 仪表控制、触摸屏控制、PLC控制
数据记录 USB数据记录、电脑软件通讯
尾气处理 水洗瓶、燃烧装置、吸收装置
安全保护 氢气报警、气体联锁、超温保护

应用领域

  • 半导体材料实验
  • 光伏材料研究
  • 石墨烯及碳材料制备
  • 陶瓷材料烧结
  • 金属材料气氛退火
  • 催化剂材料制备
  • 新能源电池材料研究
  • 高校及科研院所实验室
说明: 本产品支持非标定制,炉管尺寸、加热区长度、气路数量、真空系统、控制方式及安全保护系统均可根据客户实验工艺要求配置。